IRF530NS中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF530NS |
| 功能描述 | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-263 |
| 文件大小 |
1.01006 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | VBsemi Electronics Co.,Ltd |
| 企業(yè)簡稱 |
VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-4 23:12:00 |
| 人工找貨 | IRF530NS價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRF530NS規(guī)格書詳情
FEATURES
? TrenchFET? Power MOSFET
? 175 °C Junction Temperature
? Low Thermal Resistance Package
? 100 Rg Tested
APPLICATIONS
? Isolated DC/DC Converters
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF530NS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA/ |
2500 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
2016+ |
TO-263 |
5254 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO263-3 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO-263-2 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
9896 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-263 |
501300 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
20 |
TO-263 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IOR |
25+23+ |
TO263 |
26899 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
42 |
詢價(jià) |
