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IRF630PBF中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF630PBF
廠商型號

IRF630PBF

功能描述

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

文件大小

1.53489 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-13 22:59:00

IRF630PBF規(guī)格書詳情

FEATURES

? 175 °C Junction Temperature

? PWM Optimized

? 100 Rg Tested

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

? Primary Side Switch

? DT-TrenchPower MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF630PBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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