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IRF630S中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF630S
廠商型號(hào)

IRF630S

功能描述

N - CHANNEL 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK MESH OVERLAY] MOSFET

文件大小

85.22 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-13 22:59:00

IRF630S規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

This power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.35 ?

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

■ FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT

SALES OFFICE

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT SWITCHING

■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)

■ DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,

INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF630S

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
NA/
10115
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
詢價(jià)
IR/VISHAY
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價(jià)
IR
22+
TO-263
9000
原裝正品
詢價(jià)
IR
24+
TO 263
161415
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
Vishay Siliconix
21+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
詢價(jià)
IR
24+
TO-263
60000
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價(jià)
IR
23+
TO-263
8890
價(jià)格優(yōu)勢(shì)/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來(lái)電查詢
詢價(jià)
IR新貨
21+
TO-263
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)
IR
2023+
TO-263-2
5425
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售
詢價(jià)