IRF640NL中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF640NL |
| 功能描述 | N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm |
| 文件大小 |
160.31 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-29 20:00:00 |
| 人工找貨 | IRF640NL價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRF640NL規(guī)格書詳情
Features
? Ultra Low On-Resistance
- rDS(ON) = 0.102? (Typ), VGS = 10V
? Simulation Models
- Temperature Compensated PSPICE? and SABER?
Electrical Models
- Spice and SABER? Thermal Impedance Models
? Peak Current vs Pulse Width Curve
? UIS Rateing Curve
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF640NL
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR(國際整流器) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
IR |
2018+ |
TO-262 |
26976 |
代理原裝現(xiàn)貨/特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO262 |
25630 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IOR |
TO-262 |
68500 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長期供貨 |
詢價(jià) | |||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO262 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO262 |
18 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
TO/220 |
7000 |
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詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
2022+ |
TO262 |
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INFINEON/英飛凌 |
2418+ |
N/A |
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詢價(jià) |
