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IRF640S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRF640S
廠商型號(hào)

IRF640S

功能描述

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)

文件大小

228.71 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IRF

中文名稱(chēng)

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-31 17:30:00

IRF640S規(guī)格書(shū)詳情

Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combinations of fast switching , ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.

Surface Mount (IRF640S)

Low-profile through-hole (IRF640L)

Available in Tape & Reel (IRF640S)

Dynamic dv/dt Rating

150°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF640S

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
06+
TO-263
15
詢(xún)價(jià)
IR
23+
TO263
30
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢(xún)價(jià)
IR
23+
TO-263
10000
專(zhuān)做原裝正品,假一罰百!
詢(xún)價(jià)
IR
21+
TO-263
5587
原裝現(xiàn)貨庫(kù)存
詢(xún)價(jià)
ST
22+23+
TO-263
15264
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
IR
TO-263
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
詢(xún)價(jià)
IR
23+
TO263
3000
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售
詢(xún)價(jià)
SILICONIXVISHAY
21+
NA
12820
只做原裝,質(zhì)量保證
詢(xún)價(jià)
ST/意法
24+
TO-263
15
只做原廠渠道 可追溯貨源
詢(xún)價(jià)
IR
23+
TO/263
7000
絕對(duì)全新原裝!100%保質(zhì)量特價(jià)!請(qǐng)放心訂購(gòu)!
詢(xún)價(jià)