IRF6603中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRF6603 |
| 功能描述 | HEXFETPower MOSFET |
| 文件大小 |
201.71 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
11 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
IRF |
| 中文名稱(chēng) | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-15 19:41:00 |
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更多IRF6603規(guī)格書(shū)詳情
Description
The IRF6603 combines the latest HEXFET? Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and process. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, IMPROVING previous best thermal resistance by 80.
? Application Specific MOSFETs
? Ideal for CPU Core DC-DC Converters
? Low Conduction Losses
? High Cdv/dt Immunity
? Low Profile (<0.7 mm)
? Dual Sided Cooling Compatible
? Compatible with existing Surface Mount Techniques
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF6603
- 功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
DIRECTFET |
6528 |
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
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SOP |
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詢(xún)價(jià) | ||
IR |
23+ |
原廠原裝 |
1009 |
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
24+ |
SOP |
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IR |
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IR |
1211+ |
SC70-5 |
4268 |
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IR |
24+ |
原廠封裝 |
65250 |
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詢(xún)價(jià) |
