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IRF6691中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF6691
廠商型號

IRF6691

功能描述

HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode

文件大小

228.85 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-6 9:30:00

IRF6691規(guī)格書詳情

HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode

● Application Specific MOSFETs

● Integrates Monolithic Trench Schottky Diode

● Ideal for CPU Core DC-DC Converters

● Low Conduction Losses

● Low Reverse Recovery Losses

● Low Switching Losses

● Low Reverse Recovery Charge and Low Vf

● Low Profile (<0.7 mm)

● Dual Sided Cooling Compatible

● Compatible with existing Surface Mount Techniques

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF6691

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
ROHS
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一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
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QFN
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普通
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QFN
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