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IRF710PBF	文件：225.67 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF710PBF	文件：1.01954 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF710PBF	文件：159.88 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFETFEATURES	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF710S	文件：168.08 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF710S	文件：181.34 Kbytes Page：9 Pages	SurfaceMount DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovid	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF710S	文件：219.19 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF710SPBF	文件：1.69044 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET 400VN-ChannelMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI710B	文件：649.18 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFS710A	文件：264.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFS710B	文件：859.15 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFW710	文件：649.18 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFW710B	文件：649.18 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
KIT-CCS-710	文件：737.27 Kbytes Page：8 Pages	CCS-710PCompactSeriesSwitches	ARISTA Arista Networks, Inc	ARISTA
KIT-CCS-710-DIN	文件：737.27 Kbytes Page：8 Pages	CCS-710PCompactSeriesSwitches	ARISTA Arista Networks, Inc	ARISTA
KIT-CCS-710-MGN	文件：737.27 Kbytes Page：8 Pages	CCS-710PCompactSeriesSwitches	ARISTA Arista Networks, Inc	ARISTA
KIT-CCS-710-RM	文件：737.27 Kbytes Page：8 Pages	CCS-710PCompactSeriesSwitches	ARISTA Arista Networks, Inc	ARISTA
KM710N	文件：109.73 Kbytes Page：1 Pages	10mmAdjustableUnshieldedIFTCoils	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KM710N	文件：134.07 Kbytes Page：1 Pages	10mmADJUSTABLERFCOILS(UNSHIELDED)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KM710N-LFR	文件：109.73 Kbytes Page：1 Pages	10mmAdjustableUnshieldedIFTCoils	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
LAA710	文件：181.58 Kbytes Page：6 Pages	DualPoleOptoMOSRelays	Clare Clare, Inc.	Clare

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詳細參數

型號：
IRF710L
功能描述：
MOSFET N-CH 400V 2A TO-262
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列：
-
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市國宇半導體科技有限公司	IRF710L	VISHAY/威世	23+	TO-262	10000	公司只做原裝正品	詢價
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深圳市芯福林電子科技有限公司	IRF710L	Vishay Siliconix	21+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	13880	公司只售原裝,支持實單	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRF710L	Vishay Siliconix	23+	TO2623 Long Leads I2Pak TO262A	9000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	IRF710L	Vishay Siliconix	2022+	TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-26	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨立分銷	詢價
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更多IRF710L供應商更新時間2021-9-14 10:50:00

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