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IRF720FI	文件：64.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF720FI	文件：343.23 Kbytes Page：6 Pages	N-channelenhancementmodepowermostransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
IRF720L	文件：255.7 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF720LPBF	文件：255.7 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF720PBF	文件：1.60226 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF720S	文件：178.37 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF720S	文件：255.7 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF720SPBF	文件：974.66 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=400V,RDS(on)=1.8廓,ID=3.3A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?SurfaceMount ?AvailableinTape&Reel ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalanch	IRF International Rectifier	IRF
IRF720SPBF	文件：255.7 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF720STRR	文件：372.09 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF720STRRPBFA	文件：255.7 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI720B	文件：666.68 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFI720G	文件：170.19 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=1.8ohm,Id=2.6A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI720G	文件：1.52055 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplica	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI720G	文件：836.78 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thir	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI720GPBF	文件：1.52055 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplica	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI720GPBF	文件：963 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFS720	文件：879.14 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFS720	文件：270.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFS720A	文件：264.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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