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IRF7403

Generation V Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRF7403

Marking：IRF7403；Package：SOP-8；Generation VTechology

GenerationVTechology UltraLowOn-ResistanceNChannelMosfet SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free Features Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthrouahacustomizedleadframe forenhancedthermalcharacteristicsandmultiple-diecapability makingitidealin

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

IRF7403

MOSFET

Features GenerationVTechology UltraLowOn-ResistanceNChannelMosfet SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRF7403TR

Marking：IRF7403；Package：SOP-8；Generation VTechology

GenerationVTechology UltraLowOn-ResistanceNChannelMosfet SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free Features Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthrouahacustomizedleadframe forenhancedthermalcharacteristicsandmultiple-diecapability makingitidealin

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

IRF7403TR

Marking：IRF7403；Package：SOP-8；MOSFET

Features GenerationVTechology UltraLowOn-ResistanceNChannelMosfet SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRF7403TRPBF

Generation V Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRF7403_04

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF7403PBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF7403PBF

GENERATION V TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRF7403PBF_15

GENERATION V TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF7403

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多IRF7403供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 9:07:00

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