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IRF740SPBF	文件：943.97 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=400V , RDS(on)=0.55廓 , ID=10A )	IRF International Rectifier	IRF
IRF740SPBF	文件：199.04 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF740STRLPBF	文件：174.47 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF740STRLPBFA	文件：199.04 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF740STRRPBFA	文件：199.04 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI740	文件：169.69 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.55ohm,Id=5.4A) Description ThirdGnerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapp	IRF International Rectifier	IRF
IRFI740A	文件：233.1 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFI740B	文件：678.89 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFI740G	文件：169.69 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.55ohm,Id=5.4A) Description ThirdGnerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapp	IRF International Rectifier	IRF
IRFI740G	文件：1.58797 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) ?SinktoLeadCr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI740G	文件：890.58 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thir	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI740GLC	文件：221.82 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.55ohm,Id=5.7A) DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETstechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.Th	IRF International Rectifier	IRF
IRFI740GLC	文件：1.32574 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETstechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI740GLC	文件：700.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI740GLCPBF	文件：1.49328 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETstechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.Th	IRF International Rectifier	IRF
IRFI740GLCPBF	文件：1.32574 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETstechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI740GLCPBF	文件：700.5 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFI740GPBF	文件：935.15 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI740GPBF	文件：1.58797 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s;f=60Hz) ?SinktoLeadCr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFS740	文件：1.21942 Mbytes Page：7 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN

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詳細參數(shù)

型號：
IRF740SPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市富利微電子科技有限公司	IRF740SPBF	VISHAY	23+	TO-263	11020	保證進口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	IRF740SPBF	Vishay Siliconix	24+	D2PAK(TO-263)	30000	晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市華高宇電子有限公司	IRF740SPBF	VISHAY	10+/15+/22+		6500	TO-263-3 (D2PAK)	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRF740SPBF	VISHAY	23+	TO-263-3 (D2PAK)	7700	原裝現(xiàn)貨支持送檢	詢價
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更多IRF740SPBF供應商更新時間2024-12-22 22:38:00

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