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IRFI740GLC中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFI740GLC
廠商型號(hào)

IRFI740GLC
功能描述

Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.7A)
文件大小

221.82 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-2 13:08:00

IRFI740GLC規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing advanced Power MOSFETs technology, the device improvements allow for reduced gate drive requirements, faster switching speeds and increased total system savings. These device improvements combined with the proven ruggedness and reliability that are characteristic of Power MOSFETs offer the designer a new standard in power transistors for switching applications.

The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and low thermal resistance between the tab and external heatsink.

? Ultra Low Gate Charge

? Reduced Gate Drive Requirement

? Enhanced 30V VGS Rating

? Isolated Package

? High Voltage Isolation = 2.5 KVRMS

? Sink to Lead Creepage Dist.= 4.8 mm

? Repetitive Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRFI740GLC

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 400V 5.7 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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