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IRFI734G中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFI734G
廠商型號(hào)

IRFI734G

功能描述

Power MOSFET

文件大小

873.79 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-8 20:00:00

IRFI734G規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applications. The molding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard TO-220 product. The FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by a single screw fixing.

FEATURES

? Isolated Package

? High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz)

? Sink to Lead Creepage Dist. 4.8 mm

? Dynamic dV/dt

? Low Thermal Resistance

? Lead (Pb)-free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFI734G

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
23+
NA/
1850
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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Vishay Siliconix
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TO2203 Isolated Tab
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TO-220F
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TO-220FullPak(Iso)
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TO-220
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Vishay Siliconix
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TO2203 Isolated Tab
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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TO-220F
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