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IRFI644G中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFI644G
廠商型號

IRFI644G

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.41435 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-12 18:10:00

IRFI644G規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

FEATURES

? Isolated Package

? High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)

? Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

? Dynamic dV/dt Rating

? Low Thermal Resistance

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFI644G

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 250V 7.9 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨
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