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IRFI644GPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRFI644GPBF |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
1.41435 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名稱(chēng) | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-9 10:22:00 |
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DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
? Isolated Package
? High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
? Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm
? Dynamic dV/dt Rating
? Low Thermal Resistance
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFI644GPBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 7.9 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
23+ |
TO-220F |
7828 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY |
23+24 |
TO-220F |
29840 |
主營(yíng)MOS管,二極.三極管,肖特基二極管.功率三極管 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY |
TO-220F |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢(xún)價(jià) | |||
Vishay Siliconix |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
21+ |
TO-220F |
6000 |
原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO220FP |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
57598 |
一級(jí)代理原裝正品現(xiàn)貨期貨均可訂購(gòu) |
詢(xún)價(jià) | |||
24+ |
N/A |
60000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢(xún)價(jià) | |||
VISHAY |
21+ |
TO-220FP |
1000 |
原裝正品 有掛有貨 |
詢(xún)價(jià) |
