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IRF730中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF730
廠商型號(hào)

IRF730

功能描述

N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 350 V/400 V

文件大小

848.7 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-19 16:21:00

IRF730規(guī)格書詳情

Description

These devices are n-channol, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high voltage, high speed applications, such as off-line switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers.

? VQS Rated at ±20 V

? Silicon Gate for Fast Switching Speeds

? IDSS, VDS(on), SOA and VGS(th) Specified at Elevated

Temperature

? Rugged

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF730

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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