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IRF730中文資料尼爾半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF730
廠商型號

IRF730
功能描述

N-Channel Power MOSFET
文件大小

341.04 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 Nell Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡稱

NELLSEMI【尼爾半導(dǎo)體】

中文名稱

尼爾半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-14 8:30:00
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IRF730規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The Nell IRF730 are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are designed, tested and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation.

FEATURES

● RDS(ON) = 1.00? @ VGS = 10V

● Ultra low gate charge(22nC Max.)

● Low reverse transfer capacitance

(CRSS = 4pF typical)

● Fast switching capability

● 100 avalanche energy specified

● Improved dv/dt capability

● 150°C operation temperature

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF730

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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