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IRF7380QPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7380QPBF
廠商型號

IRF7380QPBF
功能描述

HEXFET?Power MOSFET
文件大小

223.99 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-30 23:00:00
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IRF7380QPBF規(guī)格書詳情

Description

Additional features of These HEXFET Power MOSFETs are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

The efficient SO-8 package provides enhanced thermal characteristics making it ideal in a variety of power applications. This surface mount SO-8 can dramatically reduce board space and is also available in Tape & Reel.

● Advanced Process Technology

● Ultra Low On-Resistance

● N Channel MOSFET

● Surface Mount

● Available in Tape & Reel

● 150°C Operating Temperature

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF7380QPBF

  • 功能描述：

    MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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