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IRF7389TR中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7389TR
廠商型號

IRF7389TR

功能描述

Dual N P Channel MOSFET

絲印標識

IRF7389

封裝外殼

SOP-8

文件大小

420.47 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-3-11 22:30:00

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IRF7389TR規(guī)格書詳情

Features

N-Ch:

VDS (V)=30V

RDS(ON)< 29m? (VGS = 10V)

RDS(ON)< 46m? (VGS = 4.5V)

P-Ch:

VDS (V)=-30V

RDS(ON)< 58m? (VGS = -10V)

RDS(ON)< 98m? (VGS = -4.5V)

Generation V Technology

Ultra Low On-Resistance

Complimentary Half Bridge

Surface Mount

Fully Avalanche Rated

Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF7389TR

  • 功能描述:

    MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    HEXFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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