IRF7509TR中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF7509TR規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Generation V Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dual N and P Channel MOSFET
● Very Small SOIC Package
● Low Profile (<1.1mm)
● Available in Tape & Reel
● Fast Switching
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF7509TR
- 功能描述：
MOSFET N+P 30V 2A MICRO8
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列：
HEXFET®
- 產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 個 N 溝道（雙） FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安裝類型：
表面貼裝
- 封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
- 包裝：
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
4643 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
Micro-8 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
MSOP-8 |
3194 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
Micro-8 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
MSOP8 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
MSOP8 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費! |
詢價 | ||
IR |
22+23+ |
MSOP8 |
39079 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
MSOP8 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
IOR |
24+ |
MSOP-8 |
1000 |
詢價 | |||
IRF7509TR |
329 |
329 |
詢價 |
