IRF7601TR中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF7601TR規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The new Micro8 package, with half the footprint area of the standard SO-8, provides the smallest footprint available in an SOIC outline. This makes the Micro8 an ideal device for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (
● Generation V Technology
● Ultra Low On-Resistance
● N-Channel MOSFET
● Very Small SOIC Package
● Low Profile (<1.1mm)
● Available in Tape & Reel
● Fast Switching
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF7601TR
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
19440 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
MICRO8 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
MICRO8 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
MICREL |
2020+ |
MSOP8 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
SOP8 |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
SOP-8L |
68900 |
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TSSOP |
4500 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
MICRO8 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
SOP8 |
3 |
詢價 | |||
IR |
24+ |
SSOP-8 |
65300 |
一級代理/放心購買! |
詢價 |
