IRF7663TR中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF7663TR規(guī)格書詳情
Description
New trench HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The new Micro8? package has half the footprint area of the standard SO-8. This makes the Micro8 an ideal package for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (
● Trench Technology
● Ultra Low On-Resistance
● P-Channel MOSFET
● Very Small SOIC Package
● Low Profile (<1.1mm)
● Available in Tape & Reel
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF7663TR
- 功能描述：
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IOR |
22+ |
MSOP-8 |
5000 |
只做原裝,假一賠十 15118075546 |
詢價 | ||
IR |
20+ |
SOP8 |
2100 |
進口原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價 | |||
INTERNATIONAL RECTIFIER |
2023+ |
SMD |
898 |
安羅世紀電子只做原裝正品貨 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
MSOP-8 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
MSOP-8 |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
IR |
17+ |
MSOP8 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
HY |
24+ |
SOP-8 |
16800 |
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
8-TSSOP,8-MSOP(0.118 |
38550 |
詢價 | |||
IR |
2020+ |
MSOP-8 |
186 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 |
