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IRF7807中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7807
廠商型號

IRF7807
功能描述

MOSFET
文件大小

347.55 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI【翊歐】

中文名稱

翊歐半導體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-3-16 23:00:00
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IRF7807規(guī)格書詳情

Features

VDS (V) = 30V

RDS(ON)< 13.8m? (VGS = 10V)

RDS(ON)< 18.2m? (VGS = 4.5V)

Applications

Control FET for Notebook Processor Power

Synchronous Rectifier MOSFET for

Graphics Cards and POL Converters in

Networking and Telecommunication Systems

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF7807

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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