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IRF7807VTR	文件：112.78 Kbytes Page：8 Pages	N Channel Application Specific MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7807VTRPBF	文件：197.71 Kbytes Page：8 Pages	N Channel Application Specific MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7807Z	文件：266.74 Kbytes Page：10 Pages	ControlFETforNotebookProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent ●100TestedforRG Applications ●ControlFETforNotebookProcessorPower ●SynchronousRectifierMOSFETfor GraphicsCardsandPOLConvertersin Networkinga	IRF International Rectifier	IRF
IRF7807Z	文件：206.29 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent ●100TestedforRG Applications ●ControlFETforNotebookProcessorPower ●SynchronousRectifierMOSFETfor GraphicsCardsandPOLConvertersin Networkinga	IRF International Rectifier	IRF
IRF7807ZPBF	文件：214.5 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7807ZPBF	文件：220.06 Kbytes Page：10 Pages	ControlFETforNotebookProcessorPower	IRF International Rectifier	IRF
IRF7807ZPBF	文件：220.06 Kbytes Page：10 Pages	ControlFETforNotebookProcessorPower	IRF International Rectifier	IRF
IRF7807ZTR	文件：266.74 Kbytes Page：10 Pages	ControlFETforNotebookProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent ●100TestedforRG Applications ●ControlFETforNotebookProcessorPower ●SynchronousRectifierMOSFETfor GraphicsCardsandPOLConvertersin Networkinga	IRF International Rectifier	IRF
IRF7807ZTRPBF	文件：1.7673 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=20V,ID=10A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRF7807ZTRPBF	文件：220.06 Kbytes Page：10 Pages	ControlFETforNotebookProcessorPower	IRF International Rectifier	IRF
IRF7807ZUPBF	文件：256.87 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR7807Z	文件：336.32 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?HighFrequencySynchronousBuckConvertersForComputerProcessorPower ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤13.8m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLR7807Z	文件：168.71 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower	IRF International Rectifier	IRF
IRLR7807ZCPBF	文件：294.67 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRLR7807ZPBF	文件：264.82 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRLR7807ZPBF	文件：273.78 Kbytes Page：12 Pages	Ultra-LowGateImpedance	IRF International Rectifier	IRF
IRLU7807Z	文件：247.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-251(IPAK)packaging ?Highspeedswitching ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Powersupply ?DC-DCconverters ?Motorcontrol ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLU7807Z	文件：168.71 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower	IRF International Rectifier	IRF
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詳細參數(shù)

型號：
IRF7807VTR
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

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