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IRF840BPBF	文件：168 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840BPBF-BE3	文件：168 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840FI	文件：334.39 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
IRF840FI	文件：66.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF840FP	文件：132.59 Kbytes Page：5 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF840FP	文件：302.38 Kbytes Page：5 Pages	8.0A500VNCHANNELPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
IRF840I	文件：151.64 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
IRF840L	文件：176.79 Kbytes Page：9 Pages	EaseofParalleling	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LC	文件：1.51385 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesigniticantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOStechnology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedriverequirementsandtotalsystemsavings.I	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LC	文件：319.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF840LC	文件：157.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCL	文件：173.93 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=8.0A) Description ThisnewseriesoflowchargeHEXFET?powerMOSFETsachievesignificantlowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedeviceMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducegatedriverequirem	IRF International Rectifier	IRF
IRF840LCL	文件：156.42 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF840LCL	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCL	文件：175.22 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCL	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Ultralowgatecharge ?Reducedgatedriverequirement ?Enhanced30VVGSrating ?ReducedCiss,Coss,Crss ?Extremelyhighfrequencyoperation ?Repetitiveavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCLPBF	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCLPBF	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCPBF	文件：993.4 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF840LCPBF	文件：1.51385 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesigniticantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOStechnology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedriverequirementsandtotalsystemsavings.I	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF840BPBF
功能描述：
MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF840BPBF	Vishay Siliconix	24+	TO-220AB	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRF840BPBF	VISHAY	23+	TO-220-3	2000	原裝現(xiàn)貨支持送檢	詢價
深圳市硅宇電子有限公司	IRF840BPBF	Vishay(威世)	2249+		60652	二十余載金牌老企研究所優(yōu)秀合供單位您的原廠窗口	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	IRF840BPBF	IR	2023+	SMD	53200	正品,原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRF840BPBF	VISHAY(威世)	23+	TO-220	7828	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市千科宇科技有限公司	IRF840BPBF	VISHAY/威世	18+	TO-220	6295	正規(guī)渠道原裝正品	詢價
柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRF840BPBF	VISHAY	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)	詢價
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更多IRF840BPBF供應(yīng)商更新時間2024-10-23 19:09:00

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