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IRF840FI	文件：334.39 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
IRF840FI	文件：66.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF840FP	文件：132.59 Kbytes Page：5 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF840FP	文件：302.38 Kbytes Page：5 Pages	8.0A500VNCHANNELPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
IRF840I	文件：151.64 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
IRF840L	文件：176.79 Kbytes Page：9 Pages	EaseofParalleling	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LC	文件：1.51385 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesigniticantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOStechnology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedriverequirementsandtotalsystemsavings.I	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LC	文件：319.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF840LC	文件：157.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCL	文件：173.93 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=8.0A) Description ThisnewseriesoflowchargeHEXFET?powerMOSFETsachievesignificantlowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedeviceMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducegatedriverequirem	IRF International Rectifier	IRF
IRF840LCL	文件：156.42 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF840LCL	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCL	文件：175.22 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCL	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Ultralowgatecharge ?Reducedgatedriverequirement ?Enhanced30VVGSrating ?ReducedCiss,Coss,Crss ?Extremelyhighfrequencyoperation ?Repetitiveavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCLPBF	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCLPBF	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCPBF	文件：993.4 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF840LCPBF	文件：1.51385 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesigniticantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOStechnology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedriverequirementsandtotalsystemsavings.I	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCPBF	文件：157.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840LCS	文件：173.93 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=8.0A) Description ThisnewseriesoflowchargeHEXFET?powerMOSFETsachievesignificantlowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedeviceMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducegatedriverequirem	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRF840FI
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220VAR

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市納艾斯科技有限公司	IRF840FI	IR	2020+	TO-220F	80000	只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRF840FI	ST/意法	23+	TO-220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRF840FI	ST/意法	23+	TO-220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRF840FI	ST	21+	TO-220F	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳廊盛科技有限公司	IRF840FI	ST/意法	2022	TO-220F	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	IRF840FI		ST	TO-220F	68900	原包原標(biāo)簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF840FI	IR	22+	TO-220F	6000	終端可免費供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市得捷芯城科技有限公司	IRF840FI	ST/意法	23+	NA/	30	優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票	詢價
深圳市科芯源微電子有限公司	IRF840FI	IR	24+	TO220F	58000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費!	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRF840FI	IR	23+	TO-220F	7000		詢價

更多IRF840FI供應(yīng)商更新時間2025-1-3 15:22:00

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