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IRF9130	文件：271.22 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF9130	文件：149.67 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A) ProductSummary TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorrever	IRF International Rectifier	IRF
IRF9130	文件：58.5 Kbytes Page：7 Pages	-12A, -100V, 0.30 Ohm, P-Channel Power MOSFET -12A,-100V,0.30Ohm,P-ChannelPowerMOSFET TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Allofthesepowe	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9130	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF9130	文件：19.15 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9130	文件：23.56 Kbytes Page：2 Pages	P??HANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9130	文件：290.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF9130_03	文件：23.56 Kbytes Page：2 Pages	P??HANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9130SMD	文件：20.72 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF9130SMD05	文件：21.7 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE9130	文件：203 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTOR REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET?TRANSISTOR Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignerstheextraflexibilitythe	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9130	文件：16.9 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE9130	文件：206.79 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9130	文件：133.06 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETP-CHANNEL(BVdss=-100V,Rds(on)=0.30ohm,Id=-6.5A) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET?TRANSISTORS THRU-HOLE-TO-205AF(TO-39) TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylow	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9130	文件：327.74 Kbytes Page：7 Pages	-6.5A,-100V,0.300Ohm,P-ChannelPowerMOSFET -6.5A,-100V,0.300Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETs	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF9130	文件：16.7 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9130	文件：207.74 Kbytes Page：3 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9130	文件：687.87 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs -5.5Aand-6.5A,-60Vand-100VrDS(on)=0.30Ωand0.40Ω TheIRFF9130,IRFF9131,IRFF9132andIRFF9133areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Thesearep-channelenhancement-modesilicon-gat	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFNJ9130	文件：21.7 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP9130	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF9130
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-3
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 100V 11A 2PIN TO-204AA - Bulk
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
P CHANNEL MOSFET, TO-3, LAW - Bulk
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
功能描述：
MOSFET P TO-3
功能描述：
MOSFET, P, TO-3
功能描述：
P CH MOSFET, -100V, 11A, TO-204AA; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-11A; Drain Source Voltage
Vds：
-100V; On Resistance
Rds(on)：
300mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-4V ;RoHS
Compliant：
No

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IRF9130	H	專(zhuān)業(yè)軍工	TO-3	860	只做原裝正品現(xiàn)貨授權(quán)貨源	詢(xún)價(jià)
瑞航達(dá)科技(深圳)有限公司	IRF9130	IR		TO-3	80	原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢(shì)庫(kù)存	詢(xún)價(jià)
深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	IRF9130	H	23+	TO-3	66800	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力！	詢(xún)價(jià)
綠盛電子(香港)有限公司	IRF9130	IR	2015+	TO-3(鐵帽)	19889	一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣(mài)!	詢(xún)價(jià)
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深圳市昌和盛利電子有限公司	IRF9130	IR	23+	原廠封裝	9896		詢(xún)價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRF9130	INTERNATIONA	05+	原廠原裝	4278	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢(xún)價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRF9130	IR	16+	原廠封裝	2000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢(xún)價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IRF9130	IR	23+	2腳鐵帽	5000	原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市利加科技有限公司	IRF9130	IR	16+	NA	8800	原裝現(xiàn)貨,貨真價(jià)優(yōu)	詢(xún)價(jià)

更多IRF9130供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 16:39:00

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