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IRF840STRLPBF	文件：1.03948 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840STRLPBFA	文件：198.2 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840STRR	文件：172.32 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=8.0A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRF840STRRPBF	文件：1.03948 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF840STRRPBFA	文件：198.2 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI840A	文件：227.93 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=500V ?LowerRDS(ON):0.638?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFI840B	文件：695.11 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFI840G	文件：122.02 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(-55V,0.1ohm,-14A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI840G	文件：169.05 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=4.6A) IRF1840G->CorrectPartumberIRFI840G 1.IsolatedPackage 2.HighVoltageIsolation=2.5VKRMS 3.SinktoLeadCreepageDist=4.8mm 4.LowThermalResistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFI840G	文件：2.81499 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s,f=60Hz) ?Sink	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI840G	文件：1.54981 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI840GLC	文件：225.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=4.5A) DESCRIPTION ThisnewseriesofLowChargePowerHEXFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalHEXFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETtechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF
IRFI840GLC	文件：1.66555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETtechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI840GLC	文件：958.66 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI840GLCPBF	文件：1.66555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETtechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI840GLCPBF	文件：1.033819 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesofLowChargeHEXFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHEXFETtechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.Thesedeviceim	IRF International Rectifier	IRF
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IRFI840GPBF	文件：2.81499 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s,f=60Hz) ?Sink	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI840GPBF	文件：2.39062 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF840STRLPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市富利微電子科技有限公司	IRF840STRLPBF	VISHAY	23+	TO-263	7990	保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRF840STRLPBF	VISHAY	2020+	TO-263	9600	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRF840STRLPBF	VISHAY	2020+	TO-263	22000	全新原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)格優(yōu)勢	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF840STRLPBF	Vishay Siliconix	24+	D2PAK(TO-263)	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市龍瀚電子有限公司	IRF840STRLPBF	VISHAY	16+	TO-263	36000	原裝正品,優(yōu)勢庫存81	詢價(jià)
深圳美順電子科技有限公司	IRF840STRLPBF	VISHAY	1524CN	TO-263	3972	原廠直銷	詢價(jià)
深圳市寶隆宏業(yè)科技有限公司	IRF840STRLPBF	-	2021+	TO-263	5980	只做原裝,優(yōu)勢渠道,可全系列訂貨開增值稅票	詢價(jià)
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	IRF840STRLPBF	VISHAY/威世	1822+	TO-263	200	進(jìn)口原裝假一賠十支持含稅	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	IRF840STRLPBF	VISHAY/威世	24+	TO-263	15	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市吉銘電子科技有限公司	IRF840STRLPBF	IR	22+	TO-263	800000	原裝正品	詢價(jià)

更多IRF840STRLPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 18:02:00

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