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IRFI840GLCPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFI840GLCPBF
廠商型號(hào)

IRFI840GLCPBF

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.66555 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-15 9:48:00

IRFI840GLCPBF規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing advanced Power MOSFET technology, the device improvements allow for reduced gate drive requirements, faster switching speeds and increased total system savings. These device improvements combined with the proven ruggedness and reliability that are characteristic of MOSFETs offer the designer a new standard in power transistors for switching applications.

FEATURES

? Ultra Low Gate Charge

? Reduced Gate Drive Requirement

? Enhanced 30 V VGS Rating

? Isolated Package

? High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz)

? Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

? Repetitve Avalanche Rated

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFI840GLCPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VBSEMI/臺(tái)灣微碧
23+
TO220F
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
Vishay Siliconix
21+
TO2203 Isolated Tab
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價(jià)
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23+
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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VISHAY(威世)
23+
TO-220
7828
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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VBSEMI/臺(tái)灣微碧
24+23+
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12580
16年現(xiàn)貨庫存供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品
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Vishay Siliconix
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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