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IRF7853TRPBF_INFINEON/英飛凌_MOSFET MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg中福國(guó)際2部

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  • 廠家型號(hào)：

    IRF7853TRPBF

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    360000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SO8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-5 10:34:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IRF7853TRPBF品牌：INFINEON/英飛凌

專(zhuān)業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低

  • 芯片型號(hào)：

    IRF7853TRPBF

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    BYCHIP【百域芯】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

  • 中文名稱(chēng)：

    深圳市百域芯科技有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    5 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    949.68 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    IRF7853TRPBF

  • 功能描述：

    MOSFET MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市中福國(guó)際管理有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    13266709901

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-82571134

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福虹路世貿(mào)廣場(chǎng)B座22F

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