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IRF8313TR中文資料友臺(tái)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF8313TR
廠商型號

IRF8313TR

功能描述

30V 2N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標(biāo)識

IRF8313

封裝外殼

SOP-8

文件大小

2.08671 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

UMW友臺(tái)半導(dǎo)體

中文名稱

廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-5 22:58:00

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IRF8313TR規(guī)格書詳情

General Description

The is the highest performance trench

N-ch MOSFETs with extreme high cell density,

which provide excellent RDSON and gate charge

for most of the small power switching and

load switch applications. The meet the RoHS and

Product requirement with full function reliability approved.

General Features

VDS = 30V ID =

RDS(ON) < mΩ @ VGS=10V

RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=4.5V

Application

Battery protection

Load switch

Uninterruptible power supply

9A

13

IRF8313TR

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF8313TR

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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