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IRF9510中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF9510
廠商型號

IRF9510
功能描述

Power MOSFET
文件大小

4.11368 Mbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

KERSEMI

中文名稱

Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-2-1 23:00:00

IRF9510規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? P-Channel

? 175 °C Operating Temperature

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Simple Drive Requirements

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF9510

  • 功能描述：

    MOSFET P-Chan 100V 4.0 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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