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IRF9540中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF9540
廠商型號(hào)

IRF9540

功能描述

P-Channel MOSFET

文件大小

1.19389 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡(jiǎn)稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2024-11-8 17:54:00

IRF9540規(guī)格書詳情

Description:

This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(on) with low gate charge.

It can be used in a wide variety of applications

Features:

1) VDS=-100V,ID=-20A,RDS(ON)<90mΩ@VGS=-10V

2) Low gate charge.

3) Green device available.

4) Advanced high cell denity trench technology for ultra Iow RDS(ON).

5) Excellent package for good heat dissipation.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRF9540

  • 功能描述:

    MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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