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IRF9953中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF9953
廠商型號

IRF9953
功能描述

Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm)
文件大小

107.4 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-9 12:00:00
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IRF9953規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.

● Generation V Technology

● Ultra Low On-Resistance

● Dual P-Channel MOSFET

● Surface Mount

● Very Low Gate Charge and Switching Losses

● Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF9953

  • 功能描述：

    MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    HEXFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個 N 溝道（雙） FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應商設備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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