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IRF9Z24SPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF9Z24SPBF
廠商型號

IRF9Z24SPBF
功能描述

Power MOSFET
文件大小

2.30422 Mbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay【威世科技】

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-18 20:09:00

IRF9Z24SPBF規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

FEATURES

? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

? Advanced Process Technology

? Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S)

? Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L)

? 175 °C Operating Temperature

? Fast Switching

? P-Channel

? Fully Avalanche Rated

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF9Z24SPBF

  • 功能描述：

    MOSFET P-Chan 60V 11 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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