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IRFB3806	文件：339.33 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB3806PBF	文件：564.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPower MOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFB3806PBF	文件：570.25 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3806	文件：335.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR3806	文件：1.3313 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3806	文件：536.74 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET Features VDS(V)=60V RDS(ON)15.8m(VGS=10V) Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheSOA *EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dt Capability	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱UMW?)	UMW
IRFR3806	文件：504.72 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET Features VDS(V)=60V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR3806PBF	文件：512.159 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3806PBF	文件：506.56 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3806TR	文件：536.74 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET Features VDS(V)=60V RDS(ON)15.8m(VGS=10V) Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheSOA *EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dt Capability	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱UMW?)	UMW
IRFR3806TR	文件：504.72 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET Features VDS(V)=60V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFS3806	文件：263.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS3806PBF	文件：564.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3806PBF	文件：570.25 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3806PBF	文件：570.25 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3806TRLPBF	文件：570.25 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL3806PBF	文件：564.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL3806PBF	文件：570.25 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3806	文件：247.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU3806PBF	文件：506.56 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFB3806
功能描述：
MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多IRFB3806供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-19 16:38:00

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