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IRFBC30中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFBC30
廠商型號

IRFBC30

功能描述

N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOSFET

文件大小

85.58 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-23 13:15:00

IRFBC30規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The PowerMESH? ΙΙ is the evolution of the first generation of MESH OVERLAY?. The layout refinements introduced greatly improve the Ron*area figure of merit while keeping the device at the leading edge for what concerns switching speed, gate charge and ruggedness.

■ TYPICAL RDS(on) = 1.8 ?

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVER

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFBC30

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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