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IRFBE20PBF中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFBE20PBF
廠商型號

IRFBE20PBF

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

332.88 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-6 20:00:00

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IRFBE20PBF規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current : ID= 1.8A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 800V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 6.5Ω(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRITION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFBE20PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VISHAY/威世
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100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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公司只售原裝,支持實(shí)單
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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