IRFBG30中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFBG30
- 功能描述：
MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
728 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
18000 |
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詢價 | ||
VISHAY |
10+ |
TO-220 |
100 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | ||
IR |
TO-220 |
68900 |
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詢價 | |||
IR |
23+ |
TO-220 |
4500 |
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詢價 | ||
VISHAY |
2018+ |
TO-220F |
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詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
9526 |
詢價 | |||
IR |
TO-220 |
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詢價 | |||
NA |
23+ |
NA |
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ir |
24+ |
原裝 |
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詢價 |
