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IRFBG30

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFBG30

Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)

PowerMOSFET(Vdss=1000V,Rds(on)=5.0ohm,Id=3.1A)

IRF

International Rectifier

IRFBG30

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFBG30

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFBG30

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFBG30

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFBG30

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFBG30

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFBG30_V02

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFBG30PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFBG30

  • 功能描述：

    MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
22+
原廠封裝
15850
原裝正品，實單請聯(lián)系
 詢價
IR
23+
TO-220
4050
原廠原裝正品
 詢價
IR
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
IR
06+
TO-220
8000
自己公司全新庫存絕對有貨
 詢價
IR
1430+
TO220
5800
全新原裝,公司大量現(xiàn)貨供應,絕對正品
 詢價
IR
23+
TO-220
9526
詢價
IR
23+
TO220
8653
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
VISHAY
10+
TO-220
100
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
IR
2020+
TO220
570
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
VISHAY
2016+
TO220
3000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
更多IRFBG30供應商 更新時間2025-3-3 17:44:00

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