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IRFD014PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFD014PBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFD014PBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFD014PBF

HEXFET? Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRFL014

PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.20ohm,Id=2.7A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?SurfaceMount ?AvailableinTape&Reel ?DynamicdV/dtRating ?FastSwitching ?E

IRF

International Rectifier

IRFL014

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFL014

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFL014

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFL014N

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.16ohm,Id=1.9A)

Description FifthGenerationHEXFET?MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor

IRF

International Rectifier

IRFL014NPBF

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFET?MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFD014PBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Vishay Siliconix
24+
4-HVMDIP
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
ir
20+
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2800
絕對(duì)全新原裝現(xiàn)貨,歡迎來(lái)電查詢
 詢價(jià)
Vishay(威世)
2249+
HVMDIP
60622
二十余載金牌老企 研究所優(yōu)秀合供單位 您的原廠窗口
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VISHAY(威世)
23+
HVMDIP
7863
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
 詢價(jià)
VISHAY
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原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
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VISHAY
23+
DIP2
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
IR
23+
HEXDIP
19526
詢價(jià)
Vishay
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
更多IRFD014PBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-30 14:14:00

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