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IRFL014	文件：176.76 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=2.7A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?SurfaceMount ?AvailableinTape&Reel ?DynamicdV/dtRating ?FastSwitching ?E	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014	文件：949.69 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL014	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL014	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL014N	文件：144.1 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.16ohm, Id=1.9A) Description FifthGenerationHEXFET?MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014NPBF	文件：158.96 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET?MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014NTRPBF	文件：1.92767 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRFL014NTRPBF	文件：164.33 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFET?MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014PBF	文件：793.5 Kbytes Page：9 Pages	Surface Mount, Fast Switching DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?SurfaceMount ?AvailableinTape&Reel ?DynamicdV/dtRating ?FastSwitching ?Eas	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014PBF	文件：949.69 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL014TR	文件：949.69 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL014TRPBF	文件：949.69 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL014_10	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL014_V01	文件：296.72 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL014NPBF	文件：164.33 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014NPBF_15	文件：164.33 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014PBF	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL014TR	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL014TRPBF	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL014TRPBFA	文件：296.72 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFL014
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	IRFL014	VISHAY/威世	24+	SOT-223	16000	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市明嘉萊科技有限公司	IRFL014	IR	24+	SOT-223	160789	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	IRFL014	VISHAY/威世	24+	SOT-223	502057	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRFL014	IR	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFL014	IR	24+	SOT-223	7196	新進(jìn)庫存/原裝	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRFL014	IR	05+	原廠原裝	7174	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRFL014	IR	16+	原廠封裝	5000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFL014	IR	23+	SOT-223	7600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRFL014	IR	12+	SOT223	15000	全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	IRFL014	IRF	24+	SOT-223	2560	絕對原裝!現(xiàn)貨熱賣!	詢價(jià)

更多IRFL014供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-26 9:24:00

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