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IRFP27N60KPBF

HEXFET Power MOSFET

Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications ●HardSwitchingPrimaryorPFCSwitch ●SwitchM

IRF

International Rectifier

IRFP27N60KPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP27N60KPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP27N60K

PowerMOSFET

FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent ?EnhancedbodydiodedV/dtcapability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP27N60K

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP27N60K

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.22?(MAX) ?Enhancementmode: Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP27N60K

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP27N60K

PowerMOSFET

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP27N60K

PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)typ.=180mohm,Id=27A)

HEXFET?PowerMOSFET Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications HardSwitch

IRF

International Rectifier

SIHFP27N60K

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHFP27N60K

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SiHFP27N60K

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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PowerMOSFET

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHH27N60EF

ESeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFP27N60KPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 600V 27 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay Siliconix
24+
TO-247AC
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
VISHAY
20+
TO-247AC
50000
詢價
VISHAY/威世
21+
TO-247AC
6000
原裝正品
 詢價
VISHAY/威世
2122+
TO-247AC
8890
原裝現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢
 詢價
VISHAY/威世
24+
TO-247-3
4500
原廠授權(quán)代理 價格絕對優(yōu)勢
 詢價
Vishay(威世)
2249+
TO-247AC
59213
二十余載金牌老企 研究所優(yōu)秀合供單位 您的原廠窗口
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Infineon英飛凌專營
TO-247
9000
原裝現(xiàn)貨當天可交貨,長期備貨支持BOM配單賬期
 詢價
VISHAY/威世
21+
TO-247-3
60000
絕對原裝正品現(xiàn)貨,假一罰十
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
TO-247
10048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道。可簽保供合同
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
TO-247
14316
正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
 詢價
更多IRFP27N60KPBF供應(yīng)商 更新時間2024-10-27 14:14:00

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