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IRFP2907ZPBF

HEXFET Power MOSFET

VDSS=75V RDS(on)=4.5m? ID=90A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemp

IRF

International Rectifier

IRFP2907ZPBF

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRFP2907ZPBF_15

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

JS2907

Rad-hard60V,0.6APNPtransistor

Features ?Hermeticpackages ?ESCCqualified ?100krad Description The2N2907AHRisabipolartransistorabletooperateundersevereenvironment conditionsandradiationexposureprovidinghighimmunitytototalionizingdose (TID). QualifiedasperESCC5202/001specificationandava

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

JSR2907

Rad-hard60V,0.6APNPtransistor

Features ?Hermeticpackages ?ESCCqualified ?100krad Description The2N2907AHRisabipolartransistorabletooperateundersevereenvironment conditionsandradiationexposureprovidinghighimmunitytototalionizingdose (TID). QualifiedasperESCC5202/001specificationandava

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

KMBT2907

PNPGeneralPurposeAmplifier

■Features ●CollectorCurrenttoContinuous:IC=-600mA ●PowerDissipation:PD=250mW

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

KMBT2907A

PNPTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

KMBT2907AT

PNPTransistors

■Features ●SmallPackage ●ComplementarytoMMBT2222AT

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

KN2907

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.);VCE=-30V,VEB=-0.5V. ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.);IC=-150mA,IB=-15mA. ?ComplementarytotheKN2222/2222A.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

KN2907

TO-92PACKAGE

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFP2907ZPBF

  • 功能描述：

    MOSFET MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC Qg

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
TO-247
8075
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
 詢(xún)價(jià)
IR
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢(xún)價(jià)
IR
24+
TO-247-3
5411
詢(xún)價(jià)
IR
07+
TO-247
1000
自己公司全新庫(kù)存絕對(duì)有貨
 詢(xún)價(jià)
IR
23+
TO-247AC-
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢(xún)價(jià)
Infineon
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢(xún)價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠(chǎng)免費(fèi)送樣
 詢(xún)價(jià)
IR
24+
SMD
250
“芯達(dá)集團(tuán)”專(zhuān)營(yíng)軍工百分之百原裝進(jìn)口
 詢(xún)價(jià)
IR
23+
TO247
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)!
 詢(xún)價(jià)
IR
專(zhuān)業(yè)軍工
NA
1000
只做原裝正品軍工級(jí)部分訂貨
 詢(xún)價(jià)
更多IRFP2907ZPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-26 9:11:00

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