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IRFP064

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)

DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels

IRF

International Rectifier

IRFP064

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP064

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Ultralowon-resistance ?Verylowthermalresistance ?Isolatedcentralmountinghole ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9991

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP064

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP064

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP064

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP064

iscN-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP064

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP064_V02

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Ultralowon-resistance ?Verylowthermalresistance ?Isolatedcentralmountinghole ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9991

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP064N

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A??

FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigne

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFP064

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 60V 70 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
19+
TO-247
22500
詢價
IR
24+
N/A
8000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
 詢價
IR
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
IR
23+
TO-247
35890
詢價
24+
1100
詢價
IR
06+
TO-247
1800
自己公司全新庫存絕對有貨
 詢價
IR
17+
TO-3P
6200
詢價
IR
24+
原廠封裝
500
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
IR
24+
TO-247
4650
詢價
IR
23+
TO-3P
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
更多IRFP064供應(yīng)商 更新時間2025-2-22 16:03:00

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