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IRFP264	文件：168.34 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.075ohm, Id=38A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ●Dynamicdv/dtRating ●RepetitiveAvalancheRated ●IsolatedCentralMountingHole ●FastS	IRF International Rectifier	IRF
IRFP264	文件：47.02 Kbytes Page：2 Pages	Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode N-ChannelEnhancementMode StandardPowerMOSFET Features ?Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Highcommutatingdv/dtrating ?Fastswitchingtimes Applications ?Switch-modeandresonant-mode po	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP264	文件：1.56832 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastSw	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP264	文件：848.45 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP264	文件：443.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP264	文件：1.57849 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP264_V02	文件：848.45 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP264N	文件：222.56 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=60mohm, Id=44A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP264N	文件：151.28 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknowfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP264NPBF	文件：148.62 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP264NPBF	文件：151.28 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknowfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP264PBF	文件：1.56832 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastSw	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP264_V01	文件：1.57849 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP264PBF	文件：900.39 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP264PBF	文件：1.57849 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFP264
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 38 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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