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IRFL014N

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.16ohm, Id=1.9A)

Description FifthGenerationHEXFET?MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor

IRF

International Rectifier

IRFL014NPBF

HEXFET Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFET?MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor

IRF

International Rectifier

IRFL014NTRPBF

Marking：FL014N；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

IRFL014NTRPBF

Advanced Process Technology

Description FifthGenerationHEXFET?MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor

IRF

International Rectifier

IRFL014NPBF

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRFL014NPBF_15

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

IRFL014PBF

SurfaceMount,FastSwitching

DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?SurfaceMount ?AvailableinTape&Reel ?DynamicdV/dtRating ?FastSwitching ?Eas

IRF

International Rectifier

IRFL014PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFL014PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFL014TR

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFL014N

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
SOT-223
500751
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
IR
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
IR
24+
SOT-223
6349
新進庫存/原裝
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IR
25+
SOT-223
3500
福安甌為您提供真芯庫存,真誠服務(wù)
 詢價
IOR
05/06+
SOT223
106
全新原裝100真實現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
IR
24+
SOT-223
149
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
IR
23+
SOT-223
7600
全新原裝現(xiàn)貨
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IR
24+
SOT-223
5825
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存!
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IR
12+
SOT-223
15000
全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。
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VISHY
2020+
SOT-223
60000
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
更多IRFL014N供應(yīng)商 更新時間2025-3-10 17:06:00

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