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IRFD113	文件：253.48 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Forautomaticinsertion ?Compactplasticpackage ?Endstackable ?Fastswitching ?Lowdrivecurrent ?Easilyparalleled ?Excellenttemperaturestability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION TheHVMDIPt	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD113	文件：112.88 Kbytes Page：2 Pages	POWER-MOSFET FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR POWER-MOSFETFIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR ThisseriesofN-ChannelEnhancement-modePowerMOSFETutilizesGEsadvancedPowerDMOStechnologytoachievelowon-resistancewithexcellentdeviceruggednessandreliability. Thisdesignhasbeenoptimizedtogivesuperiorperformanceinmostswitchi	GESS GE Solid State	GESS
IRFD113	文件：250.45 Kbytes Page：8 Pages	Compact Plastic Package	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD113_V01	文件：253.48 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Forautomaticinsertion ?Compactplasticpackage ?Endstackable ?Fastswitching ?Lowdrivecurrent ?Easilyparalleled ?Excellenttemperaturestability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION TheHVMDIPt	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD113PBF	文件：253.48 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFE113	文件：70.03 Kbytes Page：1 Pages	MultipleSmall-SignalTransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
IRFF113	文件：176.97 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ?SOAisPowerDissipationLimited ?NanosecondSwitchingSpeeds ?LinearTransferCharacteristics ?HighInputImpedance ?Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
IS113	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GENERALPURPOSEDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS113	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFD113
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市星佑電子有限公司	IRFD113	IR	06+	原廠原裝	4483	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFD113	IR	23+	DIP-4	8238		詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	IRFD113	MOTOROLA	1990+		74	原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFD113	IOR	24+	DIP-4	100		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFD113	IR	23+	DIP-4	1350	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRFD113	雷達(dá)	2020+	DIP-4	8400	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
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上海意淼電子科技有限公司	IRFD113	ON	23+	NA	6500	全新原裝假一賠十	詢價(jià)
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深圳市宇集芯電子有限公司	IRFD113	IR	24+	DIP-4	90000	一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理	詢價(jià)

更多IRFD113供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-9 17:52:00

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