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IRFF9130	文件：687.87 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-Rated P-Channel Power MOSFETs -5.5Aand-6.5A,-60Vand-100VrDS(on)=0.30Ωand0.40Ω TheIRFF9130,IRFF9131,IRFF9132andIRFF9133areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Thesearep-channelenhancement-modesilicon-gat	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFF9130	文件：327.74 Kbytes Page：7 Pages	-6.5A, -100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFET -6.5A,-100V,0.300Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETs	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF9130	文件：133.06 Kbytes Page：7 Pages	POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET?TRANSISTORS THRU-HOLE-TO-205AF(TO-39) TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylow	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9130	文件：16.7 Kbytes Page：1 Pages	P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9130	文件：207.74 Kbytes Page：3 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9130_11	文件：207.74 Kbytes Page：3 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFNJ9130	文件：21.7 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP9130	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFP9130	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFP9130	文件：272.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS9130	文件：265.89 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFY9130	文件：14.31 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY9130C	文件：15.63 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY9130C	文件：164.07 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA)100V,P-CHANNELHEXFET?MOSFETTECHNOLOGY PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY9130C0.3?-11.2ACeramic IRFY9130CM0.3?-11.2ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon	IRF International Rectifier	IRF
IRFY9130C	文件：834.09 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY9130CM	文件：300.01 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETP-CHANNEL(BVdss=-100V,Rds(on)=0.3ohm,Id=-11.2A) PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY9130C0.3?-11.2ACeramic IRFY9130CM0.3?-11.2ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon	IRF International Rectifier	IRF
IRFY9130CM	文件：164.07 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA)100V,P-CHANNELHEXFET?MOSFETTECHNOLOGY PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY9130C0.3?-11.2ACeramic IRFY9130CM0.3?-11.2ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon	IRF International Rectifier	IRF
IRFY9130M	文件：15.63 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRH9130	文件：121.77 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(T0-204AA) RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(T0-204AA) InternationalRectifier’sRADHardHEXFET?technologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.Thesedeviceshavebeenchar	IRF International Rectifier	IRF
IRH9130	文件：127.37 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFF9130
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 100V 6.5A 3PIN TO-39 - Bulk
功能描述：
Single P-Channel 100 V 25 W 34.8 Hexfet Transistor Through Hole - TO-39
功能描述：
P CH MOSFET, -100V, 6.5A, TO-205AF; Transistor Polarity
制造商：
Int'L Rectifier
制造商：
IR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	IRFF9130	IR	23+	CAN	66800	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力！	詢價(jià)
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