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IRFNJ9130	文件：21.7 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP9130	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFP9130	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFP9130	文件：272.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS9130	文件：265.89 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFY9130	文件：14.31 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY9130C	文件：15.63 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY9130C	文件：164.07 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA)100V,P-CHANNELHEXFET?MOSFETTECHNOLOGY PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY9130C0.3?-11.2ACeramic IRFY9130CM0.3?-11.2ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon	IRF International Rectifier	IRF
IRFY9130C	文件：834.09 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY9130CM	文件：300.01 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETP-CHANNEL(BVdss=-100V,Rds(on)=0.3ohm,Id=-11.2A) PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY9130C0.3?-11.2ACeramic IRFY9130CM0.3?-11.2ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon	IRF International Rectifier	IRF
IRFY9130CM	文件：164.07 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA)100V,P-CHANNELHEXFET?MOSFETTECHNOLOGY PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY9130C0.3?-11.2ACeramic IRFY9130CM0.3?-11.2ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon	IRF International Rectifier	IRF
IRFY9130M	文件：15.63 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRH9130	文件：121.77 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(T0-204AA) RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(T0-204AA) InternationalRectifier’sRADHardHEXFET?technologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.Thesedeviceshavebeenchar	IRF International Rectifier	IRF
IRH9130	文件：127.37 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHE9130	文件：123.23 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(LCC-18)	IRF International Rectifier	IRF
IRHE9130	文件：176.89 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHF9130	文件：128.74 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORP-CHANNEL(BVdss=-100V,Rds(on)=0.30ohm,Id=-6.5A) InternationalRectifier’sRAD-HardHEXFETTMtechnologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.ThesedeviceshavebeencharacterizedforbothTotalDoseandSingleEventEffec	IRF International Rectifier	IRF
IRHF9130	文件：134.33 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHM9130	文件：135.48 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFET/100V,P-CHANNEL	IRF International Rectifier	IRF
IRHM9130	文件：136.74 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFNJ9130
制造商：
SEME-LAB
制造商全稱：
Seme LAB
功能描述：
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFNJ9130	IR	22+		6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFNJ9130	IR	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFNJ9130	IR	23+		7000		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFNL210B	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRFNL210B	FAIRCHILD/仙童	21+	TO-92L	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	IRFNL210B	FAIRCHILD	22+	TO-92	58000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道。	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	IRFNL210B	FAIRCHILD	2023+環(huán)保現(xiàn)貨	TO-92L	20000	專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	IRFNL210B	FAIRCHILD/仙童	23+	NA/	3605	原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRFNL210B	FAIRCHILD/仙童	2022+	TO-92L	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRFNL210BMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-92L	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)

更多IRFNJ9130供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 14:00:00

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